去年有报道称，产出货包括三星、品开SK海力士和美光在内的发已DRAM制造商早已启动了DDR6的开发工作，专注于芯片设计、启动控制器验证和封装模块集成。目标DRAM制造商已经完成DDR6原型芯片设计，年实正在与英特尔和AMD等内存控制器和平台厂商合作进行接口测试。现商

据The 业化Elec报道，三星、产出货SK海力士和美光这些DRAM制造商最近已经与基板供应商协调DDR6内存模块的品开开发工作，包括厚度、发已堆叠结构和布线等。启动目前DDR6原型产品正在生产和验证当中，目标这部分工作也是年实在JEDEC固态技术协会监督下进行的。

JEDEC于2024年提供了DDR6初步草案，现商在性能和架构方面取得了重大进步。其转向多通道设计，采用4×24位子通道，有别于DDR5的2×32位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，当然也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。

预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6支持新的CAMM2标准，取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。

目前业界已经完成了向DDR5的过渡，去年在服务器市场的占比超过了80%，今年预计达到90%。原本JEDEC可以更早地发布DDR6标准规范，但是一些主要规格迟迟未能敲定，包括厚度、信号使用、功率范围和引脚设计等。随着DRAM制造商加速DDR6标准产品的开发，这一情况将有所改变，预计2028年至2029年之间实现商业化。